MOS管驅動電壓最大是多少-KIA MOS管

MOS管驅動電壓最大是多少？

過驅動電壓Vod=Vgs-Vth。可bai以理解爲：du超過驅動門限（Vth）的剩餘電壓大小。

1)只有在你的過驅動電壓「dao大於零」的情況下，溝道纔會形成，MOS管纔會工作。也就是說，能夠使用過驅動電壓來判斷晶體管是否導通。

2）溝道電荷多少直接與過驅動電壓二次方成正比。也就是說，能夠使用過驅動電壓來計算飽和區的電流。

3）如果能夠更加深入理解的話，可以領悟到過驅動電壓不單單適用於指代Vgs，也適用於指代Vgd。即
 

Vod1=Vgs-Vth；

Vod2=Vds-Vth；

如果兩種Vod都大於零，說明晶體管溝道全開，也就是處於線性區。只有一種Vod大於零，說明晶體管溝道半開（在DS任意一端沒打開有夾斷），也就是處於飽和區。MOS管驅動電壓

閾值電壓受襯偏bai效應的影響，即襯底偏置電位，du零點五微米工藝zhi水平下一階mos spice模型的標準dao閾值電壓爲nmos0.7v pmos負 0.8，過驅動電壓爲Vgs減Vth。

MOS管，當器件由耗盡向反型轉變時，要經歷一個 Si 表面電子濃度等於空穴濃度的狀態。此時器 件處於臨界導通狀態，器件的柵電壓定義爲閾值電壓，MOSFET的重要參數之一 。

MOS管的閾值電壓等於背柵和源極接在一起時形成溝道需要的柵極對source偏置電壓。如果柵極對源極偏置電壓小於閾值電壓，就沒有溝道。
 

PMOS的工作原理與NMOS相類似。因爲PMOS是N型硅襯底，其中的多數載流子是電子，少數載流子是空穴，源漏區的摻雜類型是P型。

PMOS的工作條件是在柵上相對於源極施加負電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子，而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應的正電荷數量就等於PMOS柵上的負電荷的數量。

當達到強反型時，在相對於源端爲負的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經過導通的P型溝道到達漏端，形成從源到漏的源漏電流。同樣地，VGS越負(絕對值越大)，溝道的導通電阻越小，電流的數值越大。MOS管驅動電壓

正常驅動10-15，不要超過20V。

開啓的閾值電壓4-5V。

關斷最好有-5到-10V，或者保持低阻。

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